Seminarium Fizyki Ciała Stałego

Wytwarzając półprzewodnikowe struktury świecące w większości przypadków staramy się uzyskać jak najwęższe widmo emisji, które traktujemy jako dowód na wysoką jakość strukturalną przyrządu. Istnieją jednak sytuacje gdy potrzebujemy emiterów, które łączą wysoką jakość strukturalną z dużą szerokością spektralną, a dodatkowo światło ma być sprzęgnięte do światłowodu.Najpraktyczniejszymi przyrządami spełniającymi te wymagania są diody superluminescencyjne. Rozwijająca się obecnie technologia emiterów światła opartych o związki (Al,In)GaN umożliwia wytworzenie świetnej jakości diod elektroluminescencyjnych i diod laserowych, jednak diody superluminescencyjne nie spełniają jeszcze wymagań stawianych przez aplikacje przemysłowe – odpowiedniej szerokości widma emisji. Jak zwiększyć szerokość emisji tak, aby zachować bardzo dobre parametry przyrządu? W tej prezentacji przedstawę metodę wykorzystującą czułość struktur InGaN na lokalne odchylenie płaszczyzny podłoża od płaszczyzny krystalograficznej i pozwalającą wprowadzać lateralną zmianę składu studni kwantowych. Metoda ta umożliwiła wytworzenie przyrządów o około pięciokrotnym poszerzeniu widma emisji (z 2,6 nm do 15,5 nm). Wynik ten otwiera możliwość wykorzystania widzialnych diod superluminescencyjnych w aplikacjach takich jak optyczna tomografia koherencyjna.