Seminarium Fizyki Ciała Stałego

Podstawy atomowej teorii wzrostu kryształów w modelu Burton Cabrera Frank (BCF) zostaną omówione. Wzrost kryształów i warstw półprzewodników jak płyniecie stopni zostanie przeanalizowany. Zostanie wykazane, że wyniki modelu nie odzwierciedlają własności ruchu stopni. Pinning powierzchni Fermiego zostanie wprowadzony. Konsekwencje pinningu dla domieszkowania półprzewodników podczas wzrostu zostaną przedstawione. Adsorpcja atomów i molekuł na powierzchni półprzewodników i jej własności elektronowe zostaną przedstawione. Skok poziomu Fermiego i związane z tym zmiany energii adsorpcji zostanie pokazana dla procesów adsorpcji na powierzchniach półprzewodników szeroko-przerwowych: GaN, AlN i SiC, modelowanych w obliczeniach ab initio. Wyniki te dowodzą, że większość procesów wzrostu zachodzi bez pinningu poziomu Fermiego na powierzchni. Prowadzi to do zależności adsorpcji, a wiec wbudowywania domieszek, od położenia poziomu Fermiego w objętości półprzewodnika. Diagram termodynamiczny powierzchni GaN(0001) w obecności mieszaniny wodoru i amoniaku zostanie przedstawiony i omówiony