Wybrane aspekty nanotechnologii 1100-4INZ16 1100-4INZ'LDSN

Inzynieria nanostruktur

Wybrane aspekty nanotechnologii 1100-4INZ16

Jacek Szczytko, tel. 22-55.32.764

polecane podręczniki:

  • John H. Davies, "The physics of low dimensional semiconductors"
  • M. Balkanski, R.F. Wallis "Semiconductor physics and applications",
  • L. Solymar, D. Walsch, "Electrical properties of materials"

w semestrze zimowym 2015/16 Low-dimensional systems and nanostructures 1100-4INZ'LDSN

Wykład poświęcony najważniejszym kierunkom badan w nanotechnologii, dotyczący m.in. chemicznej syntezie nanostruktur, heterostrukturom, nośnikom prądu w zewnętrznych polach magnetycznych i elektrycznych. Zajęcia będą składały się z trzech części: najpierw wstęp teoretyczny przygotowujący studentów do samodzielnej pracy z publikacjami naukowymi, potem dyskusja na temat zadanych studentom prac (z najlepszych czasopism światowych), a na końcu ćwiczenia prowadzone przez eksperta w danej dziedzinie zaproszonego na zajęcia.

plan

Powtórzenie. Pasma w półprzewodnikach Heterostruktury półprzewodnikowe – studnie kwantowe Potencjał harmoniczny. Kropki kwantowe. Transport , tunelowanie, blokada kulombowska. Obsadzenia stanów, gęstości stanów, poziom Fermiego. Heterostruktury domieszkowane na tym p i n. Złącza półprzewodnik-metal. Efekt fotoeletryczny Heterostruktury w polach zewnętrznych E i B. Tensor przewodnictwa Efekt Halla, kwantowy efekt Halla, ułamkowy efekt Halla

Strona USOS 1100-4INZ16

egzamin

Egzamin 2015/16, link do pracy Quantum Hall Transition in Real Space: From Localized to Extended States, K. Hashimoto et al. Phys. Rev. Lett. 101, 256802 (2008)

podziękowania

Wykład został stworzony w ramach projektu POKL 04.01.01-00-100/10-00 "Chemia, fizyka i biologia na potrzeby społeczeństwa XXI wieku: nowe makrokierunki studiów I, II i III stopnia"